，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFE
2018-12-06 09:46
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EA
2017-09-22 11:44
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia
2021-01-23 11:20
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器
2018-03-03 13:58
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET
2019-08-09 07:28
概述：MAX1553能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSF
2021-04-21 07:38
，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N
2023-02-02 16:26
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET
2021-04-09 09:20
概述：MAX1554能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSF
2021-05-18 06:06
NTD32N06L的技术参数产品型号:NTD32N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on
2008-09-01 13:43
