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型号：<b class='flag-s-7'>SH8J</b>62TB-VB 品牌：微碧

VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V

2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J</b>7230A <b class='flag-s-7'>J</b>7230B <b class='flag-s-7'>J</b>7231B <b class='flag-s-7'>J</b>7232A 品牌：

OmniBER OTN Communications Analyzer The Keysight J7230A OmniBER OTN 10 Gb/s analyzer offers

2022-08-03 13:31 鸿承仪器 企业号

型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP01<b class='flag-s-7'>N60J</b>-VB 品牌：微碧

：** PlannarAP01N60J-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有适中的漏极-源极电压和低导通电阻，适用于需要可靠高压开关的各种应用场

2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QPD0009<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

QPD0009J产品简介Qorvo 的 QPD0009J 是采用 DFN 封装的双通道分立 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.4 至 3.6 GHz。该器件是用于 Doherty

2023-05-09 12:14 立年电子科技 企业号

型号：QPB0221<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

QPB0221J是一款高性能的射频放大器，覆盖频率范围为2-18 GHz，具备高达40W的输出功率。该模块采用先进的固态功率放大器（SSPA）技术，专为各种通信和信号处理应用而设计。QPB0221J

2024-10-14 17:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：9960<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9960J-VB 是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET，采用Trench技术。它具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于需要高效能和可靠性的功率开关和电源管理

2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号