，因此电压击穿表现为在芯片阴极表面或芯片的边缘有一小黑点。 2．由于晶闸管的电流、dv／dt、漏电、关断时间、压降等参数下降或线路的原因
2014-01-13 11:41
仅限用于固体电介质中。 电容击穿的原因 电容击穿的根本原因就是其电介质的绝缘性被破坏，产生了极化。造成电介质绝缘性被
2018-03-28 10:17
什么是电容击穿？电容器被击穿的条件是什么？电容击穿是开路还是短路？电容击穿的原因是什么？如何避免介质
2021-06-18 09:59
的原因电容击穿的根本原因就是其电介质的绝缘性被破坏，产生了极化。造成电介质绝缘性被破坏的原因
2020-03-16 07:48
什么是晶闸管及其分类?晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。&
2009-08-12 00:20
加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以
2012-07-14 15:34
我用LM2576输出的24V给功放芯片供电，LM2576输入电压是AC24V变压器整流输出电压，功放芯片使能工作后，LM2576的输入和输出引脚之间电阻很小，已击穿，请问LM2576击穿的原因是过流
2018-11-20 09:25
晶闸管是具有四层交替P型和N型材料的四层半导体层或三层PN结器件的固态半导体器件。它也被称为“SCR”（硅控制整流器）。术语“晶闸管”源自晶闸管（一种用作SCR的气体流体管）和晶体管。它专门用作
2023-02-09 10:15
下降，也就是说，齐纳击穿具有负的温度系数。雪崩击穿和齐纳击穿的区别PN结反向击穿有齐纳
2022-03-27 10:15
微机保护的故障有哪些？造成微机保护事故的原因有哪些？
2021-09-26 09:11
