的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：
2018-08-14 15:39
TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。
2023-07-25 10:09
本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特
2022-06-16 14:02
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST推出两款新系列低功耗运算放大器。意法半导体的TSV85x和LMV82x运算放大器旨在升级计算机、工业以及医疗领
2011-12-20 09:00
芯片和封装基板的互连，以及芯片和芯片的互连。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等填充，实现垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，降低信号延迟，降低寄生电容/电感，实现芯片间的低功耗、高速、宽带通信和实现器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24
MS321/358/324 分别为单通道、双通道和四通道运算放大器。可以实现pin=pin，兼容LM321/
2022-08-03 14:22
3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预
2011-01-14 16:10
本文介绍了采用芯和半导体ViaExpert软件进行TSV阵列的建模和仿真分析流程。TSV结构复杂，存在建模繁琐、分析不便等问题。
2022-06-03 09:03
编者注：TSV是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互连技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。
2023-07-03 09:45
TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；201
2013-01-27 10:25
