耦合, 旁路, 濾波, 調諧鋁電解電容器-高頻低ESR阻抗SNAP-IN 10.000UF 50V 105° 30x45mm100% 全新優質特徵: 由優質材料製成,
2022-05-14 18:26 华凯电容（深圳）有限公司 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
