基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有
2019-06-08 09:11
作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。
2019-07-24 06:13
用CMOS集成电路制作的电平指示器
2009-04-20 11:37
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)现已扩展其PointCharger产品线，推出型号为SE4110L的无线IC，可满足配备全球定位系统(GPS)功能的手机及便携式
2006-03-13 13:06
CMOS也叫互补金属-氧化物-半导体集成电路，它在速度、功耗、兼容性等方面性能优越，因而得到日益广泛的应用，特别适合制作小型和便携式的电子作品。
2023-10-11 10:19
本文介绍的功放电路既简单易制，又保证其性能，同时成本不高，非常适合初学朋友制作。
2010-12-23 12:21
AEC-Q101标准的SiGe整流器提供扩展的安全工作区域，在175°C以下不会发生热失控，特别适合高环境温度的应用。
2023-02-09 09:37
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe技术在线性度方面
2006-05-07 13:41
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程PMOS的速度
2024-07-26 10:37
引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不同器件时，反应离子刻蚀法（RIE）在图案转移
2023-12-28 10:39
