使用SiGe技术和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电解决方案上，也有完美的答案哦，让版主带大家一起来瞧瞧吧。 完整解决方案专场下图是一个Eaton ADS8系列过载继电器，提供20个载波，每个载波
2018-08-01 09:49
低功耗44Gb/s CDR芯片内嵌在CMOS芯片里该芯片在数据率为40Gb/s时的功耗为0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他复合半导体技术制成的器件的1/3。它使用了创新的3X过采样构架
2009-05-26 17:23
查询了一些资料，知道了分频器是锁相环电路中的基本单元．是锁相环中工作在最高频率的单元电路。传统分频器常用先进的高速工艺技术实现。如双极、GaAs、SiGe工艺等。随着CMOS器件的尺寸越来越小，可用
2021-04-07 06:17
迷恋电子制作的爱好者教你如何选用、制作适合DIY电路板的工具？
2021-04-25 09:43
射频功放芯片设计工程师（GaAs/SiGe）工作地点：广州负责专用无线通信射频功率放大器芯片设计、测试与调试。职位要求：1、硕士研究生及以上，微电子及相关专业，3年以上工作经验；2、有成熟GaAs
2013-12-18 11:10
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz汽车雷达系统满足
2022-11-14 07:45
想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺，在此先谢谢了！
2016-02-20 22:59
。考虑到Si载流子的迁移率低，有些公司将目光投向化合物半导体（SiGe及Ⅲ/Ⅴ族的GaAs、InP等）；为了减少 Si衬底的损耗和降低器件尺寸的物理限制，另有一些公司对原有标准CMOS工艺做了革新，有
2018-11-26 16:45
高性能SiGe PLL与低相位噪声GaAs VCO配对，用于微波无线电
2019-09-26 11:03
单位一位一位读取，再经过传感器边缘的放大器进行放大输出，所以速度较慢；CMOS中每个像素都会连接一个放大器及模/数转换电路，读取十分简单，速度较快。1.2 CCD制作工艺复杂，成本高，传输图像中不会丢失信息，而CMOS
2021-07-26 06:32
