RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为
2022-04-21 12:26
化学反应，由于清洗系统具有处理腐蚀性清洗溶液的特殊设备，系统具有长而波动的时间滞后等。在这里，我们首先提出了一个系统的热模型，其中通过DSC(差分扫描量热法)方法，我们分析了清洗溶液的放热化学反应，如SPM(硫酸/过氧化氢混合物)、APM(氨/过氧化氢混合物)和H
2022-04-15 14:55
的构成元素和它们在其中具体的个数。化学家使用更精确的术语“化合物”来描述元素的不同组合。因此，H2O(水)，NaCl(氯化钠或盐),过氧化氢(过氧化氢)和As2O3都是不同的化合物，它们都是由单个分子的集合体组成的。
2023-12-03 14:07
在选择真空压力计或者表压传感器时，精度当然是最重要的考虑因素之一。这两种情况下，精度越高则过程控制越好。这在过氧化氢等离子体灭菌过程中尤其重要，该灭菌过程各个阶段的压力都必须被精确控制才可有效工作。确认真空压力计或者表压传感器的精度实际上是度量它们的误差。更加复杂的是，每种仪器计算精度的方法都不同。
2018-06-25 13:30
近年来，作为取代SPM（硫酸/过氧化氢）清洗的有机物去除法，通过添加臭氧的超纯水进行的清洗受到关注，其有效性逐渐被发现。在该清洗法中，可以实现清洗工序的低温化、操作性的提高、废液处理的不必要化
2022-04-13 15:25
对于亚微米或深亚微米 ULSI 的制造，完全抑制在硅晶片表面产生的颗粒和污染非常重要。清洁需求的传统概念是使用化学成分（APM、氨和过氧化氢混合物）发挥主要作用。不幸的是，SC-1 (APM) 对表
2022-03-30 14:29
与过氧化氢水( H2O2水)的清洗液。目前市场上的工业H2O2水大部分采用蒽衍生物的自动氧化法生产。该制法是将蒽醌溶解于疏水性芳香族有机物中作为工作液使用的方法，合成的H2O2水中残留有少量疏水性有机物。另外，由于制造设备由不锈钢和铝等金属材料构成，因此来源于其的
2022-04-19 11:22
，HF通常也用于湿法蚀刻钛粘附层，通过用氩(Ar)等离子体处理代替HF-dip并用基于过氧化氢(H2O2)的蚀刻剂蚀刻Ti层来避免在这两个步骤中使用HF。
2022-05-30 15:29
