本应用笔记主要从三个方面探讨“如何在反激式转换器启动过程中有效消除 MOSFET 的过应力”：第一，具有立锜专有嵌入式软启动功能的反激式控制器设计；其次，系统反馈稳定性与开关MOSFET应力的关系
2022-04-20 16:59
当发生电气过应力（EOS）或静电放电（ESD）中的任何一种时，可能会发生故障或最严重的损坏。
2021-05-25 06:01
本文旨在帮助指导系统设计人员了解不同类型的电气过应力（EOS）及其如何影响其系统。虽然本文针对的是系统中引起的特定类型的电应力，但这些信息仍然可以应用于各种场景。
2022-12-22 15:28
尽管LED通常是非常耐用的，但由于电应力的原因仍会发生故障。Mauro Ceresa是Cree的EMEA现场应用工程师，将涉及所有与电过应力有关的方面。
2018-08-08 15:08
EOS是英文Electrical Over Stress的首字母缩写，其意为电气过应力 ，意思就是有过高的电压和/或电流信号加到了受试对象上，它受不了了，被损坏了，所以说“过”了。
2017-08-22 15:44
在上篇电气过应力博客中，我们介绍了瞬态电压抑制器 （TVS） 的技术参数。在本文中，我们将介绍逐步为设计选择最佳 TVS 的流程。
2022-01-28 09:37
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型栅极电阻Rg，使用2 W额定功率金属电阻器。
2022-12-22 15:59
电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）对集成电路是危险的。愚蠢的人类找借口，使用安慰剂，并希望物理定律不适用于他们。本文揭露了这种想法的愚蠢，并提出了保护电子系统的实用方法。
2023-06-10 10:02
在我的上一篇帖子中，我谈到了集成技术是如何简化3线制模拟输出设计的。在这篇帖子中，我将为你展示一种方法来保护这些设计不受危险工业瞬变（会导致电气过应力）影响。
2022-01-28 09:42
在半导体制造领域，电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。
2025-08-21 09:23
