半导体中电子和空穴运动方式有很多种，比如热运动引起的布朗运动、电场作用下的漂移运动和由浓度梯度引起的扩散运动等等。它们都对半导体的导电性造成不同的影响，但最终在半导体中产生电流的只有漂移运动和扩散运动。在此汇总集中介绍一下半导体中载流子的运动。
2025-06-23 16:41
光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极，从而可以检测到由载流子扩散所引起的电压变化。
2023-07-10 08:56
近日，厦门大学、武汉大学、中国计量大学、中国科学院城市环境研究所、中国科学院北京纳米能源与系统研究所合作提出了一种应力诱导载流子存储（Force-induced charge carrier
2020-11-11 16:15
载流子迁移率测量方法总结 0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁
2009-11-03 10:44
在n型半导体中什么是多数载流子？ 在半导体物理学领域中，多数载流子（Majority carrier）是指在半导体材料中数量最多的带电粒子。在n型半导体中，多数载流子是负电子，在p型半导体中，多数
2023-09-19 15:57
为进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能，可采用发射极载流子增强技术。
2023-07-14 14:29
半导体少数载流子产生的原因是？ 半导体材料是现代电子学的基础，它的特殊之处在于，它的电导率介于导体和绝缘体之间。一个半导体中的电子会以一种特定的方式移动，这是由于半导体材料的晶体结构和原子构造所
2023-09-19 15:57
对于某些材料和工艺顺序，环形缺陷观察到结构，而对于其他结构，发现与高温处理之前的初始值相比，电荷载流子寿命增加了高达2.6倍。
2021-12-14 11:26
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
中微量铁和铜的影响。这些晶片受到了与超大规模集成技术相关的受控量的铁和铜表面污染。衬底掺杂类型对金属杂质的影响很大。正如所料，Fe会大大降低p型衬底的少数载流子寿命
2021-12-15 09:28
