半导体中电子和空穴运动方式有很多种，比如热运动引起的布朗运动、电场作用下的漂移运动和由浓度梯度引起的扩散运动等等。它们都对半导体的导电性造成不同的影响，但最终在半导体中产生电流的只有漂移运动和扩散运动。在此汇总集中介绍一下半导体中载流子的运动。
2025-06-23 16:41
热载流子注入效应(Hot Carrier Inject, HCI)是半导体器件(如晶体管)工作时，高能电子或空穴突破材料势垒、侵入绝缘层的物理现象。当芯片中的载流子(电流载体)在电场加速下获得过高能量，就可能挣脱束缚，撞击并破坏晶体管结构中的栅氧化层(栅极与沟道间
2025-10-21 17:27
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
实验名称：功率放大器在驱动非载流子注入micro-LED上的应用研究方向：半导体器件，光电子器件，micro-LED实验内容：1、制备了一种绝缘层为氧化铝的非载流子注入micro-LED器件；2
2024-08-28 14:57 Aigtek安泰电子 企业号
石墨烯因其零带隙能带结构和高载流子迁移率，在量子霍尔效应研究中具有独特优势。然而，基于碳化硅衬底的石墨烯（SiC/G）器件中，n型与p型载流子的输运性能差异显著。Xfilm埃利测量作为电阻检测领域
2025-09-29 13:47 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
该项工作首次在实验上直接在原子尺度实现了对磁性原子间自旋相互作用的调制，验证了石墨烯掺杂载流子诱导 RKKY 的物理机制，提供了一条在原子尺度上调控磁性原子间自旋耦合，以及不同自旋类型团簇可控自组装的潜在途径。
2018-01-04 13:39
另外，当前研究的太赫兹主动调控器件功能比较单一，即只能在单一外场下实现单一的功能。但单一功能难以适应当今技术发展的要求。因此，在单一器件上，实现多物理场的调控，并实现对太赫兹波的多功能调控，是当前太赫兹技术的发展前沿之一，也是实际应用的现实需求。
2018-05-14 16:29
石墨烯中的光电转换是实现超快和低功耗信息技术的核心。然而，揭示其机制和内在时间尺度需要未知的太赫兹电子和设备架构。
2022-09-14 17:11
在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
2020-05-05 08:15
在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子
2024-12-11 10:45
