总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入(HCI) 引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET 热载流子效应可靠性研究奠定了基础。
2012-04-23 15:33
MOSFET热载流子退化寿命模型参数提取.
2012-04-23 15:38
研究了在热载流子注入HCI(hot2carrier injection) 和负偏温NBT (negative bias temperature) 两种偏置条件下pMOS 器件的可靠性. 测量了pMOS 器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独
2012-04-23 15:39
摘要：本文采用1.3UM HE-NE激光或LNGAASP/INP半导体激光作探针,实时,无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化,从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及
2010-11-27 01:36
本文档的主要内容详细介绍的是三维半导体中载流子的电输运的教程课件免费下载包括了：漂移运动与漂移电流，扩散运动与扩散电流，电流密度方程与爱因斯坦关系，连续性方程
2020-04-10 08:00
前言 载流子输运就是求电流密度相关。目录 前言 平均自由时间 & 散射概率 平均自由时间 & 迁移率 平均自由时间 & 电导率 迁移率-温度关系 电阻率-温度关系 轻掺杂时 1 016− 1 018
2023-02-27 10:34
2022-12-01 23:08
本文介绍了PN结的形成及特性，相关内容包括载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿和PN结的电容效应。 漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动：由载流子浓度差引起
2017-11-23 11:37
Field Effect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数
2009-08-10 09:23
1、P区的掺杂粒子通常为+3价态的硼，因此P区通常存在多数载流子空穴和少数载流子电子，空穴一旦跑出去，则会剩下不能移动的负离子2、N区的掺杂粒子通常为+5价态的磷，因此N区通常存在多数载流子电子和少数
2020-09-08 08:00
