功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在
2018-07-10 10:03
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4V电压无法
2023-12-17 11:22
）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MO
2017-01-09 18:00
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03
）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MO
2019-02-21 06:30
我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。如
2019-01-23 15:57
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16
闭合回路所围的面积。如用导线连接应该使用双绞线或使用同轴电缆，以尽量减小分布电感。 开通和关断时间的配合与调整 由式(5)和式(8)可知，MOSFET的开通时间是影响驱动信号振荡幅值的主要因素，呈反比例
2018-08-27 16:00
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS
2023-02-27 16:03
