TTM Technologies 的 G450N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 1.7 GHz、功率 450 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签：法兰式
2023-08-17 15:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G100N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 3 GHz、功率 100 W、回波损耗 20 至 25 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:20 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G150N50W4E 是一款端接器，频率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波损耗 20 至 25 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:23 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G300N50W4 是一款终端，频率为 2.4 至 2.5 GHz，功率为 300 W，回波损耗为 25 dB，工作温度为 -50 至
2023-08-17 15:37 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G250N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 2.2 GHz、功率 250 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签：法兰式
2023-08-17 15:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 G200N50W4 是一款端接器，频率 DC 至 2.2 GHz、功率 200 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介APM7512NG-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET，封装在 TO263 外壳中。该器件采用沟槽技术制造，专为高电流、高电压应用设计。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合
2024-12-31 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：IPD400N06NG-VB 是由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流。采用 TO252 封装。该器件
2024-06-03 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介：IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管，由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻（RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
