上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2023-02-10 09:41
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16
采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点，亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28
－ 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献，多次提到“因为内置超级结MOSFET，......”。接下来请您介绍一下超级结MOSFET
2023-02-17 11:37
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
为驱动快速开关超级结MOSFET，必须了解封装和PCB布局寄生效应对开关性能的影响，以及为使用超级结所做的PCB布局调整。主要使用击穿电压为500-600V的超级结
2019-05-13 15:20
基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超
2014-04-17 11:24
众所周知，超级结MOSFET的高开关速度自然有利于减少开关损耗，但它也带来了负面影响，例如增加了EMI、栅极振荡、高峰值漏源电压。在栅极驱动设计中，一个关键的控制参数就是外部串联栅电阻（Rg）。这会抑制峰值漏-源电压，并防止由功率
2013-02-25 09:01
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结
2017-08-25 14:36
超级电容器自动平衡 (SAB) MOSFET 系列适合工业应用，以调节和平衡泄漏电流，同时最大限度地减少用于平衡两个或多个串联堆叠的超级电容器电池的能量。
2022-08-26 08:08
