从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-
2018-11-28 14:28
：介于平面和超结型结构中间的类型超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点，其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。为充分利用这些快速和高效器件，设计工程师需要非常注意
2018-10-17 16:43
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2018-12-03 14:27
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2023-02-10 09:41
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16
采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点，亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28
－ 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献，多次提到“因为内置超级结MOSFET，......”。接下来请您介绍一下超级结MOSFET
2023-02-17 11:37
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结
2017-08-09 17:45
为驱动快速开关超级结MOSFET，必须了解封装和PCB布局寄生效应对开关性能的影响，以及为使用超级结所做的PCB布局调整。主要使用击穿电压为500-600V的超级结
2019-05-13 15:20
