二类超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科学家于1977年提出随后他们对InAs/GaSb二类超晶格的能带结构进行了理论计算，根据计算结果：
2022-11-24 09:57
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格近年来得到迅速的发展，是最有前景的红外光电探测材料之一。随着探测器像元中心距不断减小，对于台面结器件，其侧壁漏电将占据主导地位，这对超晶格
2023-01-31 09:30
美国西北大学量子器件中心研制出了M-结构的超晶格材料，降低了长波、超长波探测器中遂穿及扩散电流，因此将暗电流降低了1个数量级。利用此结构制备出了长波和甚长波红外探测器。
2019-04-25 17:49
随着材料技术的发展，InAs/GaSbⅡ类超晶格（T2SLs）的优越性日益凸显，特别适用于中长波红外（MLWIR）和甚长波红外（VLWIR）探测。基于InAs/GaSb T2SLs的光电探测器因具有
2023-09-09 11:34
二类超晶格（type-II superlattice，T2SL）主要是由III-V族锑化物组成的，自从问世以来，由于其晶格稳定性好，能带可调，器件均匀性高得以迅速发展，成为第3代制冷型红外焦平面
2022-11-29 15:16
μm）。目前，长波红外多光谱探测器主要包括碲镉汞、Ⅲ–Ⅴ族超晶格、量子阱等传统半导体材料。然而，基于半导体材料多光谱探测系统通常需要配备复杂的光器件和精密光路，如分束器、滤光片等，这些传统技术显著的增加了动态调制的复杂性，并阻碍多光谱系统的推
2024-06-30 15:34
碲镉汞材料具有截止波长在红外波段内可调节、光学吸收系数高、量子效率高等特点，是重要的红外探测器应用材料之一。近年来分子束外延生长碲镉汞技术的快速发展，使用分子束外延制备高性能、多色红外焦平面列阵探测器引起了人们的广泛关注。为了满足高性能、双多色红外焦平面器件制备的要求，需要对碲镉汞p型掺杂与激活进行专项研究。使用分子束外延方法直接在碲镉汞工艺中进行掺杂，As很难占据Te位，一般作为间隙原子或者占据金属位，
2023-09-26 09:18
SCD的优势及主流产品主要是III-V族红外探测器。20世纪90年代开始，SCD的研发重心就放在InSb上，早期主要研究离子注入型平面结工艺，工艺成熟后开始发展大面阵、小像元焦平面，目的在于减小整机的尺寸，功耗，重量与成本。
2019-02-25 16:12
，以及对看得见的半透明气体进行光学气体成像等。然而，直到引进II型应变层超晶格（SLS），我们才得以见证热成像技术的显著进步。
2020-07-13 10:08
研究人员将n型衬底作为分子束外延固体源（图1）。首先将腔室加热至950℃进行5分钟的基底退火，然后通过生长一系列三层300nm GaAs层结构，随后产生InGaAs / GaAs应变超晶格，从而实现
2018-05-23 16:51
