• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 晶格电解质材料

    晶格电解质材料 西班牙研发人员开发出一种可有效地提高燃料电池效率的晶格电解质材料,较当前的固体氧化物燃料电池可大大地降低

    2009-11-10 14:54

  • 介电体晶格的研究

    介电体晶格是一种新型的有序微结构材料。它具有通常均质材料所不具有的独特的优异性能,展现出重要的应用前景。本文介绍南京大学研究组关于介电体晶格研究所取得的进

    2010-09-14 22:00

  • 基于锑化物Ⅱ类晶格InAs/InAsSb的研究进展

    在半导体晶格材料体系中,基于Ⅲ-V族半导体的晶格材料是人们的研究热点,其带隙在0.1~1.7eV之间,可作为红外波段光电子器件的材料,也可应用在工业检测、监控、测温

    2022-08-13 10:21

  • II类晶格红外探测器原理

    二类晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科学家于1977年提出随后他们对InAs/GaSb二类晶格的能带结构进行了理论计算,根据计算结果:

    2022-11-24 09:57

  • 基于InAs/GaSbII类晶格的长波红外探测器

    武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbII 类晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640 × 512,像元间距为15 μm的长波红外焦平面探测器。在77 K

    2020-09-15 10:04

  • [4.4.1]--4.4量子阱和晶格结构

  • 半导体晶格方面研究取得重大进展

    量子共振隧穿效应引起的具有多自由度非线性动力学系统的半导体晶格器件中诱导出空间和时间序,用于检测并放大高频微弱信号。

    2018-10-02 18:42

  • 高性能锑化物晶格中红外探测器研究进展

    InAs/GaSb晶格中存在着严重的SRH复合,研究发现,与Ga有关的本征缺陷在禁带中心附近引入了缺陷能级形成的复合中心是导致SRH机制主要原因,因此,无Ga型的InAs/InAsSb

    2022-04-19 14:35

  • 应力对LaAlO3/BaTiO3晶格结构及性能的影响

    采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3

    2009-05-10 11:21

  • InAs/GaSb Ⅱ类晶格长波红外探测器的表面处理研究

    InAs/GaSb Ⅱ类晶格近年来得到迅速的发展,是最有前景的红外光电探测材料之一。随着探测器像元中心距不断减小,对于台面结器件,其侧壁漏电将占据主导地位,这对晶格

    2023-01-31 09:30