西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，对氧化镓未来发展前景进行了展望。
2019-01-10 15:27
半导体材料是现代信息技术的基石，其发展史不仅是科技进步的缩影，更是人类对材料性能极限不断突破的见证。从第一代硅基材料到第四代超宽禁带
2025-04-10 15:58
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带
2018-11-05 09:52
郝跃院士介绍了西电320GHz毫米波器件，利用高界面质量的凹槽半悬空栅技术，器件的fmax达320GHz，在输出功率密度一定的情况下，功率附加效率在30GHz频率下为目前国际GaN基HEMT中最高值。
2018-10-22 16:49
聚焦突破纳米结构超透镜、虚拟化身、真3D显示、高性能算力芯片、虚拟现实操作系统等元宇宙前沿底层技术，确定互联网3.0发展路线。推动人工智能赋能元宇宙，推进元宇宙关键技术在智慧城市、影视娱乐、数字创意等领域的创新应用。
2023-09-13 16:32
作为超宽禁带半导体材料之一，Ga2O3禁带宽度高达4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，是继GaN和SiC之后的下
2023-10-11 16:06
北京顺义园内的北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展，其技术已领先国际同类
2024-06-05 10:49
半导体材料是信息技术产业的基石，Ga2O3、金刚石等超宽禁带半导体，GaN、SiC等宽
2023-08-07 14:39
以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际
2023-08-09 16:14
随着硅基电子器件逐渐接近其理论极限值，近年来对宽禁带、超宽禁带半导体材料
2022-12-01 16:15
