宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多
2024-07-31 09:09
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代
2023-02-02 15:13
半导体材料是现代信息技术的基石，其发展史不仅是科技进步的缩影，更是人类对材料性能极限不断突破的见证。从第一代硅基材料到第四代超宽禁带
2025-04-10 15:58
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有
2023-11-03 12:10
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59
对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁带半导体行业主要有衬底
2022-07-05 12:44
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽禁
2022-10-28 11:04
Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战，共同促进宽禁带
2020-12-21 15:48
