）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别： 材料类型：功率
2024-07-31 09:07
西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，对氧化镓未来发展前景进行了展望。
2019-01-10 15:27
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好。
2018-10-10 16:57
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
在了解UWBG半导体之前，我们先回顾一下WBG半导体有别于传统硅器件的地方。WBG半导体与同等的硅器件相比更小、更快、更高效。WBG器件能在极具挑战性的操作条件下提供极高的可靠性。在电力电子领域
2023-05-09 10:35
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（
2017-11-25 16:19
