宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁
2017-07-11 14:06
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代
2023-02-02 15:13
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多
2024-07-31 09:09
半导体材料是现代信息技术的基石，其发展史不仅是科技进步的缩影，更是人类对材料性能极限不断突破的见证。从第一代硅基材料到第四代超宽禁
2025-04-10 15:58
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。
2018-11-05 09:52
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59
近日，2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上，国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽
2018-12-10 14:24
