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  • 宽带超宽带半导体技术介绍

    用于光电子和电子的宽带超宽带半导体

    2022-12-22 09:32

  • 氧化镓薄膜外延与电子结构研究

    氧化镓(Ga2O3)半导体具有4.85 eV的超宽带、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。

    2023-08-17 14:24

  • 谈谈热门的氧化镓

    超宽带半导体有望成为大功率晶体管   高效的超高压功率转换设备(电压20kv)需要比硅的能大得多的半导体。宽带(W

    2022-12-19 20:36

  • 用于28nm以下制程的12英寸硅片纳入瓦森纳协定

    就在不久前,美国商务部工业和安全局(BIS)宣布,将超宽带基板半导体材料氧化镓(Ga2O3),设计GAAFET架构的先进芯片EDA软件工具等列入商业管制清单,如今再将12英寸硅片列入瓦森纳协定,意图明显是全面遏制中国半导体的发展。

    2022-09-16 09:35

  • 用于钻石检测应用的 LDLS 供电宽带可调谐光源

    能的实验结果和钻石样品检测的总结。 介绍 金刚石是一种超宽带半导体,以其众多卓越品质而闻名,包括已知材料中比较高的导热率、高击穿电压、高载流子迁移率(掺杂时)和高电阻率(未掺杂时)。与硅等传统半导体材料不同,金刚石半导体器件可以在更高的电压和电流下工作,同时提供

    2025-01-13 06:22

  • 日本国立材料所成功研发金刚石DUV探测器

    超宽带半导体领域,研究者们正致力于开发具有超高增益的深紫外(DUV)光电探测器,以期达到与光电倍增管(PMT)相媲美的性能。这些探测器对于200-280纳米波长范围内的日盲检测和通信至关重要

    2025-02-11 09:55

  • 使用AlN(氮化铝)成功实现晶体管操作

    )的1.1eV、SiC的3.26eV和GaN的3.4eV相比,这是非常大的。因此,它与金刚石半导体一起被算作“超宽带半导体”之一。

    2022-04-26 11:09

  • 金刚石晶格约束下二维固态氦盘的晶体结构介绍

    金刚石凭借其具有超宽带(~5.5eV)、低介电常数、高载流子迁移率以及极高的击穿强度以及耐腐蚀性等优异的性能,有望成为下一代微电子和光电器件的理想材料,也被誉为电子材料的“珠穆拉玛峰”。但一直以来,由于金刚石固有的超高硬度和晶格的特性,使其掺杂极为困难。

    2022-10-20 15:55

  • 超宽带无线通信,超宽带无线通信是什么意思

    超宽带无线通信,超宽带无线通信是什么意思 摘要 随着无线通信技术的发展,人们对高速短距离无线通信的要求

    2010-03-13 10:57

  • 氧化镓器件,高压电力电子的未来之星

    超宽带(UWBG)半导体相比si和宽带材料如SiC和GaN具有更优越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中,氧化镓正逐渐展现出其在高压电力电子领域的未来应用潜力。本

    2024-06-18 11:12 深圳市浮思特科技有限公司 企业号