是有关系的，有公式可以计算： 光刻机分辨率=k1*λ/NA （k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的
2020-07-07 14:22
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
！光刻机本身的原理，其实和相机非常相似，同学们可以把光刻机就想成是一台巨大的单反相机。相机的原理，是被摄物体被光线照射所反射的光线，透过相机的镜头，将影像投射并聚焦在相机的底片（感光元件）上，如此便可
2020-09-02 17:38
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
微米之间,此间隙可以大大减少对掩膜版的损伤.接近式暴光的分辨率较低,一般在2~4微米之间,因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中.接触或接近式光刻机的主要优点是生产效率较高。 ◆接触式
2012-01-12 10:56
图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650～4358 埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理，允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长，此时可达到的实用分辨率约为0.5
2012-01-12 10:51
的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正性光刻胶，反之为负性光刻胶。光刻胶的分类及其特点见表1。 随着IC特征尺寸亚微米、深亚微米方向快速发展，现有的光刻机和
2018-08-23 11:56
的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备等。以上是今日Enroo关于晶圆制造工艺及半导体设备的相关分享。
2018-10-15 15:11
和荷兰学习交流，学他的技术，当然要付出代价，比如财富和他想要的东西，真诚相待，会成功的，还可以引进的的人才和技术，在和他学艺，联姻，总之就是把技术学到手。
2022-11-20 08:48
