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30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

、温度管理等方面都表现出色。它能够适用于多种电子设备，为它们提供稳定可靠的电力支持。 一、产品特点1、集成续流二极管、场效应管、无需外围电品2、高效率3、

2024-03-23 10:42 久宇盛电子 企业号

谐振模式驱动变换器达到高效率。可靠的开/短LED保护是集成的。SY58653内部集成高压功率场效应管进一步节省驱动程序空间。SY58653采用SO8封装。 

2024-10-26 10:54 腾震粤电子 企业号

ASDM40N80Q，该器件能比较好地替代美国万代AON6236应用在扫地机直流电机中。 我们来看看安森德ASDM40N80Q的具体参数：它具有80A、40V的电流

2022-07-12 18:40 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

IP6829支持PD 输入全集成5W/7.5W/10W/15W 无线充电发射SOC概述IP6829 是一款无线充电发射端控制SoC 芯片，兼容 WPC Qi

2022-08-10 18:25 深圳市科发鑫电子有限公司 企业号

，提高 整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二级管。 DK5V100R10ST1采用TO-220F封装。  主要特点&n

2024-01-27 16:56 腾震粤电子 企业号

产品概述 DK5V100R15S是一款简单高效率的同步整 流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基 二极管的PN管脚。芯片内部集成了100V功率 NMOS管，可以大幅降低二极

2024-01-27 17:02 腾震粤电子 企业号

低频, 高频, 微波, 毫米波, 红外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各种晶体管 ( 又称晶体三极管 ). 晶体管又可以分为双极型晶体管和

2022-08-09 16:02 伯东企业（上海）有限公司 企业号

 器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

适用于低电压应用，如DC/DC转换器和高效率的电源开关便携式和电池供电产品的管理。 特性—n通道:100V 96AR DS(on) type =6.5

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号