型号 B09N03A丝印 VBE1307品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 60A RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-01 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### A09N03N-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介A09N03N-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，设计用于低压高电流的应用场合。采用TO252封装，具备30V的漏源极电压
2024-11-27 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 A1101R09A 是一款射频模块，频率为 902 至 928 MHz，电源电压为 1.8 至 3.6 V，接收电流为 15 mA，睡眠电流为 200 nA
2023-08-17 11:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号: DTU09N03-VB丝印: VBE1307品牌: VBsemi参数: N沟道, 30V, 60A, RDS(ON) 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V
2023-12-22 10:40 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：10mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V- ID（漏极电流）：70A- 技术特点：沟道工艺产品简介：09N03LA-VB是一
2024-07-04 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 A110LR09A 是一款射频模块，频率为 902 至 928 MHz（北美）、868 至 870 MHz（欧洲），电源电压 1.8 至 3.6 V
2023-08-17 11:31 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介75N03L09-VB 是一款单路 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO263 封装，适用于低电压和高电流的应用场合。它采用了 Trench（沟道结构）技术，具有低导通电阻和高电流
2024-11-19 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N03L09-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为TO252。它具有低导通电阻、高漏源极电流承载能力和稳定的性能特性，适用于高效能量转换和电源
2024-11-12 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
09N03LA-VB 是一款 TO263 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数：- VDS（漏极-源极电压）：30V- VGS（栅极-源极电压）：±20V- Vth（阈值电压
2024-07-04 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 A110LR09C 是一款射频模块，频率为 902 至 928 MHz（北美）、868 至 870 MHz（欧洲），电源电压 1.8 至 3.6 V，接收电流
2023-08-17 11:33 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
