参数表节选:的技术参数 RL31-8-H-800-RT/73c/136产品阐述 带背景抑制功能的三角测量型光电传感器,适合标准应用,大型外壳设计,800 mm 可调节检测范围
2022-11-30 09:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### IPW90R800C3-VB 产品简介**IPW90R800C3-VB** 是一款高电压耐受性 MOSFET,采用 TO247 封装,适用于需要高耐压和高耐流的应用场景。该 MOSFET
2025-09-02 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
ART800PEG 功率LDMOS晶体管这款 800 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进耐用技术 (ART),旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。无与伦比的晶体管的频率范围为 1 MHz
2024-02-29 21:03 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 9R800C-VB MOSFET 产品简介9R800C-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。它支持高达 900V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压
2024-11-27 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**9R800C-VB MOSFET**9R800C-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO-220F封装,适用于需要高电压耐受和中等电流处理能力的应用场合。采用
2024-11-27 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、9R800C-VB 产品简介9R800C-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO247封装,适用于高压和低导通电阻要求的应用。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的高压
2024-11-27 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 RL31-8-H-800-RT-IO/59/73c/136产品阐述 采用测量核心技术的漫反射型光电传感器,大型外壳设计,带背景抑制功能及 3 个额外
2022-11-30 13:18 上海冠宁科技发展有限公司 企业号