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型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench

2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4969<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO252。该MOSFET具有低导

2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4905<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽（Trench）技术制造

2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4910<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252，具备优异的导通特性和热管

2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源极

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4809<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (V

2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4860<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4860NG-VB MOSFET 产品简介4860NG-VB 是一款高性能的单通道（Single-N-Channel）MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）技术，封装为TO252。这款

2024-11-12 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5803<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电压

2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号