### 产品简介9960J-VB 是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET,采用Trench技术。它具有低导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效能和可靠性的功率开关和电源
2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻,适用于需要高效能转换和电源
2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
UF28150J 射频功率 MOSFET 晶体管 150W, 100MHz-500MHz, 28V 特征DMOS结构公共源配置宽带操作的低电容 
2023-03-31 10:34 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Ω @ 10V,56mΩ @ 4.5V- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V- 封装:SOT23应用简介:SSM3J332R
2023-12-15 09:23 微碧半导体VBsemi 企业号
的温度稳定性,能够满足多种电源管理需求,确保系统的可靠性和稳定性。产品技术资料型号: SG55460J/883B输出电压: 5V(固定输出)最大输出电流: 1A输入
2024-10-14 14:18 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Ω @ 10V,56mΩ @ 4.5V- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V- 封装:SOT23应用简介:SSM3J328R
2023-12-14 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
负载的功率开关和电源管理应用。### AP9912J-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)*
2024-12-26 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号