图中MOS管做开关，com1为高电平时，out=12V，com1为低电平时，out=0V，out外接电路电流在30mA内，工作一段时间后，com1=0V，out输出也有11V多，MOS管已经失效了。为什么会这样？
2019-05-21 07:50
阻的根本原因。 （2）降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流 以上两种办法不能降低高
2018-11-01 15:01
本帖最后由 菜鸟到大神 于 2020-5-17 21:24 编辑 MOS管类型MOS管有N沟道型和P沟道型两种，根据场效应原理的不同又可分为耗尽型和增强型。因此，MOS管可构成P沟道增强型、P
2020-05-17 21:00
FT232RL产品参数描述【标准包装】：2,000【类别】：集成电路（IC）【家庭】：接口 - 控制器【系列】：USBmadeEZ-UART【包装】：带卷（TR） 【协议】：USB【功能】：桥，USB 至 UART【接口】：UART【标准】：USB 2.0【电压-电源】：3.3 V ~ 5.25 V【电流-电源】：15mA【工作温度】：-40°C ~ 85°C【封装/外壳】：28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）深圳市动能世纪科技有限公司成立于2000年，是一家IC集成电路销售的独立分销商，拥有18年的电子元器件行业经验。公司一直致力于经销世界 著名厂商的电子元器件，专注于无线射频收发、 USB-UART控制、通讯数据传输、超低功耗MCU、 音频解码芯片，并自主代理国内知名无线射频芯片，提供全方位的被动元器件的配套。公司以“因为专注，所以专业”为核心价值，与 全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系 ，与国内著名设计厂商达成合作，授权代理。18年来，动能世纪组建了一支专业且经验丰富销 售与技术支持的团队，坚持以客户为中心，售前售后服务全程跟进。在物联网IOT市场为客户提供整体产品技术方案输出，针对客户产品提出 Costdown以及升级方案。联系人：郭S 电话：***QQ咨询：2355573216
2018-04-14 10:01
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 电容器的常见失效模式有：――击穿短路；致命失效――开路；致命失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降
2011-12-03 21:29
的射一基间短路，场效应器件的栅一源间或栅一漏间短路或开路，集成电路的金属化互连或键合引线的熔断，多晶硅电阻开路， MOS电容介质击穿短路等。 潜在性失效是指静电放电能量较低，仅在元器件内部造成轻微
2013-03-25 12:55
，多晶硅电阻开路， MOS电容介质击穿短路等。 潜在性失效是指ESD静电放电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后器件电参数仍然合格或略有变化，但器件的抗过电应力能力已经明显削弱，或者使用寿命已
2013-12-28 10:07
失效分析方法---PCB失效分析该方法主要分为三个部分，将三个部分的方法融汇贯通，不仅能帮助我们在实际案例分析过程中能够快速地解决失效问题，定位根因；还能根据我们建立的框架对新进工程师进行培训，方便
2020-03-10 10:42
，优化改进产品研发方案及生产工艺；查明电子组装中失效根本原因，提供有效的电子组装现场工艺改进方案，降低生产成本；提高成品产品合格率及使用可靠性，降低维护维修成本，提升企业品牌和竞争力；明确引起产品
2020-02-25 16:04
失效分析（FA）是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出
2020-04-07 10:11
