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,提高 整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 DK5V100R25S采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点&
2024-01-27 17:05 腾震粤电子 企业号
,提高 整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 DK5V100R15S采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点&
2024-01-27 17:02 腾震粤电子 企业号
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 30v大电流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,
2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号
整机效 率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二 级管。 DK5V45R25C采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点 适
2024-01-27 16:50 腾震粤电子 企业号
整流二极管。 DK5V100R10VN采用PDFN5*6封装。 主要特点 适用于反激 PSR、SSR 应用 超低 VF
2024-01-27 16:58 腾震粤电子 企业号
1,产品应用方案:LED汽车灯 H7方案BOM表 2,产品应用方案:LED汽车灯 H7方案线路图 3,产品描述AP5101B 是一款高压线
2023-06-21 17:20 深圳世微半导体有限公司 企业号
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号
常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等,ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率
2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号
”的作用,30V-200V mos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 30V mos管常用型号:SVG030R7NL5封装PDFN56,导
2022-08-01 14:35 深圳市骊微电子科技 企业号
,散热好;4、待机超低功耗3uA;5、可实现充电仓和耳机双向通讯;6、双通道(L/R )独立控制;7、带I2C功能;8、QFN3*3-16封装;9、带低电报警,放电
2022-05-10 18:06 深圳市展嵘电子有限公司 企业号