电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬
2024-01-20 10:49
异质外延是一种先进的晶体生长技术，它指的是在一个特定的衬底材料上生长出与衬底材料具有不同晶体结构或化学组成的薄膜或外延层的过程，即：在一种材料的基片上生长出另一种材料。
2024-04-17 09:39
芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。 基于氮化镓的蓝/白光LED的芯片结构强烈依赖于所用的衬底材料。目前大部分厂商采用蓝宝石作为衬底材料
2016-11-05 08:19
2nm，在1~1.2V电压下，栅极在垂直于沟道的方向上的沟道表面反型层的电场强度很强，表面能带强烈弯曲，栅氧化层与衬底界面的强垂直电场会形成一个势阱，载流子被限制在一个很窄的沟道表面的势阱内，这种局域化
2024-08-07 11:40
在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
本文讲了我们华林科纳研究了半导体衬底的光电效应，接触电位引起的腐蚀可以加速，光照度可以增加Pt/GaAs边界之间的接触电位，从而增强GaAs/溶液界面和Pt/溶液界面的极化，从而加速砷化镓的阳极溶解，基于这一原理，证明了光增强的电化学机制可以提高ECNL的效率。
2022-05-16 15:23
Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。
2024-05-19 11:38
硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02
南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。这项高新技术和成功产业化，获得了2015年度国家技术发明奖一等奖，硅衬底时代随即到来。
2016-05-11 16:38
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00
