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在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用通过向生长的薄膜中添加能量来增

2023-05-25 10:22 伯东企业（上海）有限公司 企业号

常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积

2023-05-25 10:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动

2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号