、氢氟酸系、硫酸盐系、硫酸系、碱性氯化铜和酸性氯化铜系。蚀刻开始时，金属板表面被图形保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被
2017-02-21 17:44
晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic random access memory，DRAM)的制造过程中，为了提高产率，便采用
2018-03-16 11:53
和放置的位置，这些条件决定了蚀刻的速度; 3) 如果是双面板，两面都要进行喷洒。 在闭路循环再生系统中板子要连续地蚀刻。这种系统的蚀刻速率高，同时侧蚀小，细纹分辨率
2018-09-11 15:27
。了解这一点是十分重要的。这些问题来自印制电路板的上板面蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。胶状板结物堆积在铜表面上，一方面影响了喷射力，另一方面阻挡了新鲜蚀刻液的补充，造
2018-11-26 16:58
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58
，一方面影响了喷射力，另一方面阻挡了新鲜蚀刻液的补充，造成了蚀刻速度的降低。正是由于胶状板结物的形成和堆积使得板子的上下面图形的
2018-09-19 15:39
要求进行首件试验，确定蚀刻时间（即调整传送速度）。 （2）蚀刻前应按工艺要求进行检查板面，要求无残膜、无抗蚀金属渗镀。 6.问题：印制电路中基板两面蚀刻效果差异明显
2018-09-19 16:00
在上板面上被蚀刻的部分。了解这一点是十分重要的。这些问题来自印制电路板的上板面蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。胶状板结物堆积在铜表面上，一方面影响了喷射力，另一方面阻挡
2018-09-13 15:46
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相
2021-01-09 10:17
