晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic rand
2018-03-16 11:53
发射极感兴趣，这可以避免AlGaAs 的氧化和深能级问题。用于器件制造的关键技术操作之一是湿化学蚀刻。在我们之前的论文中，我们介绍了一组在 HC1:C H3COOH:
2021-07-09 10:23
是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴
2021-01-08 10:15
，尼康在ASML面前被打的毫无还手之力，高端光刻机市场基本被ASML占据。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻
2018-09-03 09:31
连续再生循环使用，成本低。 2.蚀刻过程中的主要化学反应在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蚀刻过程中，板面上的铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化
2018-02-09 09:26
芯片和cpu制造流程芯片芯片属于半导体，半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的硅、锗、硒的单质都属于半导
2021-07-29 08:32
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 各位大侠：有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水，请告知或提供联系方法。谢谢！！！本人的QQ号码是：414615292
2012-08-08 14:51
在一起进行研究和设计，即要达到蚀刻的高质量还必须符合经济性、适应性、可制造性、可维修性和可更换性。 4 压力：在设计时要考虑到压力对蚀刻液喷淋效果，对基板表面能否形成
2013-10-31 10:52
氢氧化钾在 Si中的蚀刻得到垂直表面（例如，高表面张力影响结晶硅平面的蚀刻），而氢氧化四甲基铵得到 45° 的侧壁。我们通过创建微镜阵列来说明这些
2021-07-19 11:03
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
