AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
使用,双排离子针设计,消电速度更快,标配5米橡胶高压电缆线。在某些条件下,P-Sh-N-Ex棒工作距离能够中和200毫米内的材料表面静电,适合安装于喷涂,涂布等需防
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
作用距离。在某些条件下,距离甚至可以达到600mm。P-SH-N离子棒提供稳定的离子中和能力,应用广泛,能快速消除工件表面静电,避免灰尘、杂质吸附在产品上影响品质,
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
。在某些条件下,距离甚至可以达到600mm。P-SH-N离子棒提供稳定的离子中和能力,应用广泛,能快速消除工件表面静电,避免灰尘、杂质吸附在产品上影响品质,P-S
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
。在危险区域中使用,带有 P-Sh-N-Ex防爆离子棒的 Typhoon。 特点采用 Simco-Ion 除静电离子棒,可快速中和静电,轻松除尘
2021-12-10 16:06 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号