### 一、4N06L06-VB TO252 产品简介4N06L06-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该产品具有优异的开关特性和低导通电阻,适用于各种电源管理和开关应用。其采用
2024-11-13 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号:3N06L06-VB**3N06L06-VB 是一种高性能的单N沟道MOSFET,封装形式为TO-263。它具有极低的导通电阻和高电流处理能力,适用于各种需要
2024-11-07 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2N06L06-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在TO263中。这款MOSFET适用于高电流高效率的开关应用,具有低导通电阻和高漏极
2024-07-11 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
**FQP13N06L-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** FQP13N06L-VB- **丝印:** VBM1680- **封装:** TO220-
2024-02-20 09:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 3N06L06-VB TO252 MOSFET 产品简介3N06L06-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管,专为各种电子应用中的高效能管理而设计。采用 TO-252 封装,该
2024-11-07 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N03L06-VB MOSFET产品简介4N03L06-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,由VBsemi公司生产。它具有低漏源电压和低导通电阻特性,适用于需要高电流和低
2024-11-12 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N06L-VB 产品简介15N06L-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,具有高压容忍性和低导通电阻。采用沟槽工艺制造,适用于多种应用场合,如电源管理、马达控制、逆变器等
2024-07-06 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:230N06L-VB**VBsemi的230N06L-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有60V的漏源电压、50A的漏极电流承载
2024-07-10 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: 4N06L30-VB丝印: VBE1638品牌: VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:60V- 最大电流:45A- 开通电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品065N06L-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:065N06L-VB - 封装:TO263 - 构造:单N沟道
2024-07-03 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号