。### 详细参数说明- **型号**:2N70-VB- **封装**:TO220- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**:700V- **栅源电压
2024-07-12 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:MOSFET型号:70N03 CMU70N03L-VB 封装:TO251 配置:单N沟道 耐压(VDS):30V 栅极-源极电压
2024-11-19 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### AP70N03S-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单N沟道- **漏源电压(VDS)**:30V- **栅源电压(VGS)*
2024-12-21 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 详细的参数说明- **型号**: AP70N03P-VB- **封装形式**: TO220- **配置**: 单N通道- **漏源电压 (VDS)**:
2024-12-21 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号
具备低导通电阻和高漏极电流特性,适合要求高性能开关和功率控制的场合。### 2. 参数说明- **包装形式:** TO252- **通道配置:** 单N沟道- **
2024-11-19 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
适用于需要高性能开关和功率控制的应用场合。### 2. 参数说明- **包装形式:** TO263- **通道配置:** 单N沟道- **耐压(VDS):** 30
2024-11-19 11:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM60N10-70PCFM-VB 产品简介AM60N10-70PCFM-VB 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有单 N-Channel 配置。该型号的 MOSFET
2024-12-02 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### AP70T15GP-HF-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220- **配置**:单N沟道- **漏源电压(VDS)**:150V- *
2024-12-21 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
和可靠性能的功率开关和电源管理应用。### 二、8N70L-TF3-T-VB 详细参数说明- **封装类型 (Package)**: TO220F- **配置 (C
2024-11-22 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
高效能和高可靠性的电子设备和模块。### AP70T03S-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单 N-沟槽型- **漏源极电压 (VDS)
2024-12-21 14:06 微碧半导体VBsemi 企业号