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型号：10N<b class='flag-s-7'>60</b>H-VB 品牌：微碧

了解了，以下是关于10N60H-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60H-VB**是一款高压N沟道功率MOSFET

2024-07-04 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10N<b class='flag-s-7'>60</b>L-TF1-T-VB 品牌：微碧

了解了，以下是关于10N60L-TF1-T-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60L-TF1-T-VB**是一款高

2024-07-04 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：56NM<b class='flag-s-7'>60</b>N-VB 品牌：微碧

和高电流的电力电子应用，具有低导通电阻和优异的功率处理能力。### 详细参数说明- **封装类型**：TO247- **配置**：单N沟道- **漏源极电压 (V

2024-11-14 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：7N<b class='flag-s-7'>60</b>LL-VB 品牌：微碧

高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。### 二、7N60LL-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO220- **配置**：单N沟道- **耐压（VDS）**：

2024-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6N<b class='flag-s-7'>60</b>-VB TO252 品牌：微碧

能力和适中的电流承载能力，适合用于中等功率的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: 6N60-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单通道

2024-11-18 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRFM450 功率MOSFET的<b class='flag-s-7'>详细</b>解析 品牌：

电子应用中成为理想选择。产品技术资料IRFM450的主要技术参数包括：最大漏极源极电压（VDS）：450V最大漏极电流（ID）：60A导通电阻（RDS(on)）：0

2024-10-27 18:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>60</b>T03AS-VB 品牌：微碧

应用。### AP60T03AS-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO263- **配置**：单N-通道- **漏源电压（VDS）**：30V- **栅源电

2024-12-20 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4N <b class='flag-s-7'>60</b>ZG-VB 品牌：微碧

和中功率应用，提供稳定的电流控制和功率转换功能。### 4N 60ZG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道-

2024-11-12 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2N<b class='flag-s-7'>60</b>LL-TA3-T-VB 品牌：微碧

参数说明- **型号**: 2N60LL-TA3-T-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单 N 沟道- **漏源电压 (VDS)**: 650V

2024-07-11 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>60</b>T03AP-VB 品牌：微碧

电流应用场合。### 详细的参数说明- **型号**: AP60T03AP-VB- **封装形式**: TO220- **配置**: 单N通道- **漏源电压 (V

2024-12-20 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号