参数说明- **封装类型**:TO220F- **配置**:单N沟道- **漏极-源极电压(VDS)**:700V- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V-
2024-11-16 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:56NM60N-VB****封装:TO247****配置:单N沟道**56NM60N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,适用于高压
2024-11-14 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。### 二、7N60LL-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220- **配置**:单N沟道- **耐压(VDS)**:60
2024-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号
要求高耐压和稳定性能的电源管理和功率转换应用中使用。### 二、8N60-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO251- **配置**:单N沟道- **耐压
2024-11-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
,具有良好的散热特性和可靠的电性能。### 二、7N60-VB TO220型号的详细参数说明- **封装类型**:TO220- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-20 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 55NM60ND-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO247- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V-
2024-11-14 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### AP60T03AS-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单N-通道- **漏源电压(VDS)**:30V- **栅源电
2024-12-20 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
和中功率应用,提供稳定的电流控制和功率转换功能。### 4N 60ZG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道-
2024-11-12 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
能力和适中的电流承载能力,适合用于中等功率的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: 6N60-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单通道
2024-11-18 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
许多电子系统中具有广泛的应用潜力。### 详细参数说明- **型号**:BUK582-60A-VB- **封装**:SOT223- **配置**:单N沟道- **漏
2025-01-13 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号