参数说明- **封装类型**：TO220F- **配置**：单N沟道- **漏极-源极电压（VDS）**：700V- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V-
2024-11-16 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：56NM60N-VB****封装：TO247****配置：单N沟道**56NM60N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压
2024-11-14 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。### 二、7N60LL-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO220- **配置**：单N沟道- **耐压（VDS）**：60
2024-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号
要求高耐压和稳定性能的电源管理和功率转换应用中使用。### 二、8N60-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO251- **配置**：单N沟道- **耐压
2024-11-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
，具有良好的散热特性和可靠的电性能。### 二、7N60-VB TO220型号的详细参数说明- **封装类型**：TO220- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-20 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 55NM60ND-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO247- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V-
2024-11-14 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### AP60T03AS-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO263- **配置**：单N-通道- **漏源电压（VDS）**：30V- **栅源电
2024-12-20 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
和中功率应用，提供稳定的电流控制和功率转换功能。### 4N 60ZG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道-
2024-11-12 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
能力和适中的电流承载能力，适合用于中等功率的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: 6N60-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单通道
2024-11-18 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
许多电子系统中具有广泛的应用潜力。### 详细参数说明- **型号**：BUK582-60A-VB- **封装**：SOT223- **配置**：单N沟道- **漏
2025-01-13 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
