的耐压、较低的导通电阻以及良好的开关性能,适用于高效电源管理和各种工业应用。### 二、10N60M2-VB 详细参数说明| 参数 &nb
2024-07-04 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
了解了,以下是关于10N60H-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60H-VB**是一款高压N沟道功率MOSFET
2024-07-04 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
电子应用中成为理想选择。产品技术资料IRFM450的主要技术参数包括:最大漏极源极电压(VDS):450V最大漏极电流(ID):60A导通电阻(RDS(on)):0
2024-10-27 18:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
的电流处理能力和低导通电阻。采用了SJ_Multi-EPI技术,确保了良好的导通和开关性能。### 详细参数说明**详细参数说明**:- **型号**:15N
2024-07-06 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
了解了,以下是关于10N60L-TF1-T-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60L-TF1-T-VB**是一款高
2024-07-04 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
的电流处理能力。**详细参数说明:**- 丝印:VB8658- 品牌:VBsemi- 参数: - 通道类型:P沟道 - 额定电压(VDS):-6
2024-06-17 11:31 微碧半导体VBsemi 企业号