能力,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用。### 24N50-VB 详细参数说明- **封装**: TO247- **配置**: 单 N-沟道- **VDS**
2024-07-10 15:18 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### 二、8NC50-VB 详细参数说明- **封装类型 (Package)**: TO220- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟
2024-11-22 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:5N50-VB****封装:TO252****配置:单N沟道**5N50-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高漏极电压和适中导通电
2024-11-14 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:50N03-VB****封装:TO220****配置:单N沟道**50N03-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,适用于需要高效能量控制和转换
2024-11-14 10:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:50N10-VB****封装:TO220****配置:单N沟道**50N10-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,适用于需要高效能量控制和转换
2024-11-14 10:48 微碧半导体VBsemi 企业号
的各种电子设备和模块。### AP50L02GH-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **配置**:单通道 N-沟槽型- **漏源极电压 (VDS)
2024-12-20 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
),适用于需要高性能负载开关和功率控制的应用。### 50P06SDG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 P 沟道- **漏极-
2024-11-14 11:03 微碧半导体VBsemi 企业号
能力,适合于中功率应用场合。### 50NF25-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO220- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电压 (V
2024-11-14 10:58 微碧半导体VBsemi 企业号