的应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术,提供了可靠的性能和长期稳定性。### 二、6R070C6-VB详细参数说明- **型号**: 6R070C6-VB-
2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
和可靠性的功率管理系统。### 详细参数说明- **型号**: 6R190C6-VB- **封装**: TO220F- **类型**: 单 N 沟道- **漏源电压
2024-11-18 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介TSM3454CX6-RF-VB(丝印:VB7322)是VBsemi品牌推出的一款N沟道场效应管,采用SOT23-6封装。该器件具有30V的额定耐压和6A的额定电流,关键
2024-06-17 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
了Plannar技术,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。### 6R380E6-VB MOSFET 详细参数说明-
2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号
紧凑的应用场合。### 详细参数说明- **封装:** TO252- **通道类型:** 单 N 沟道- **耐压(VDS):** 650V- **栅源电压(VG
2024-11-19 10:06 微碧半导体VBsemi 企业号
了Plannar技术,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。### 6R600P6-VB MOSFET 详细参数说明-
2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介TSM3460CX6-RF-VB(丝印:VB7322)是VBsemi品牌推出的一款N沟道场效应管,采用SOT23-6封装。该器件具有30V的额定耐压和6A的额定电流,关键
2024-06-17 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号