随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内形成很多器件，技术正在向多层结构发展，要想形成多层结构，将形成比现有的更多的薄膜层，这时晶片背面也会堆积膜。如果在背面有膜的情况下进行batch方式的润湿工序
2022-03-28 15:54
电力系统按中性点接地方式不同，分为中性点直接接地系统（包括中性点经小电阻接地）、中性
2023-09-28 11:39
据外媒 MacRumors 报道，苹果 iOS 14 与 iPadOS 14 允许用户将第三方应用设置为 iPhone 和 iPad 的默认浏览器应用。目前，用户还可以将第三方应用谷歌 Gmail 设置为 iOS 设
2020-09-22 17:44
在这项研究中，我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案，能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物，无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06
在集成电路生产过程中，晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象是一个常见但复杂的问题。每个环节都有可能成为晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的诱因，因此需要在生产中严格控制每个工艺参数，尤其是对边缘区域的处理，以减少这种现象的发生。
2025-07-09 09:43
SOP14 SOIC14 SO14 IC引脚间距1.27mm 编程座 测试座 用于SOP14的芯片进行烧写、测试，IC体宽3.9mm 型号 OTS-
2019-12-16 09:10
中性点经电阻接地系统：经电阻接地就是在中性点与大地间接入一个合适的电阻，可理解为该电阻和线路中电容形成并联关系。由于接地电阻的阻尼作用可以较好的抑制弧光过电压，并且不需要像经消弧线圈接地
2020-09-27 10:03
本文提出了一种稳健的单目视觉SLAM系统，该系统同时利用点、线和消失点特征来进行精确的相机位姿估计和地图构建，有效解决了传统基于点特征的SLAM的局限性。
2025-03-21 17:07
SSOP14 TSSOP14 IC引脚间距 0.65mm 编程座 测试座 用于SSOP14的IC芯片进行烧写、测试，IC体宽5.3mm 型号 OTS-14(34)-
2019-12-17 14:12
SSOP14 TSSOP14 IC引脚间距0.65mm 编程座 测试座 用于SSOP14的IC芯片进行烧写、测试，IC体宽4.4mm 型号 OTS-14(28)-0
2019-12-17 14:02
