UXN14M9P是一款高度灵活的整数分频器,外壳8至511之间的所有整数分频比。该器件具有单端或差分输入和输出功能。UXN14M9P封装在40引脚、6mm x 6mm无引脚塑料SMT中
2024-02-29 13:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
UXN14M9PE是UXN14M9P的评估板,UXN14M9P是一款高度增强的整数分频器,覆盖8至511之间的所有整数分频比。该器件具有单端或增量输入和输出。硬件控制输入是互补式金属氧化物半导体
2024-02-29 15:51 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术,设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力,适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9T18GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于中功率和高效能应用场合。其封装为 TO252,具有低导通电阻和高电流承载
2024-12-27 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压
2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、9U18GH-VB 产品简介9U18GH-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,适用于低压和高导通电阻要求的应用。该器件采用Trench技术,具有优异的导通特性和稳定性
2024-11-27 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介9T18GEH-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为TO252。该MOSFET具有低压降和高电流承载能力,适合中高功率应用场合。### 详细参数
2024-11-27 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号