本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32
在上篇文章中，介绍了功率MOSFET的基本参数Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。为了更深入的理解功率MOSFET的其它一些参数，本文仍然选用英飞凌公司的功率M
2020-07-14 11:34
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC
2024-05-16 09:54
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身
2018-06-15 10:09
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨MOSFET用于开关电源的
2016-12-15 16:00
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
