飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infin
2010-04-26 08:50
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有
2024-05-16 09:54
英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25
英飞凌推出适用于高性能医疗电子设备的创新平台解决方案。英飞凌的MD8710医疗平台集成了多种标准功能。这些功能的智能部署使其
2010-10-09 09:40
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650
2010-03-30 10:37
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48
2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。
2016-05-10 18:14
英飞凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且
2025-02-20 09:22
