靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有
2024-05-16 09:54
推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及研发了冷却操作的技术都能够实现减少电动机的功耗，虽然硅MOSFET等开关技术已得到广泛应用，但它们通常无法满足关键逆变器应用更苛刻的性能和效率目标。相反
2024-05-23 10:56 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
在上篇文章中，介绍了功率MOSFET的基本参数Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。为了更深入的理解功率MOSFET的其它一些参数，本文仍然选用英飞凌公司的功率M
2020-07-14 11:34
在220V单相家用便携式焊机应用中，大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源，开关频率最高可以到50kHz，如果采用软开关技术，开关频率还能更高，也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32
本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32
在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表
2025-01-06 17:01
高性能计算、人工智能和 5G 移动通信等高性能需求的出现驱使封装技术向更高密度集成、更高速、低延时和更低能耗方向发展。
2023-01-14 10:23
本文的测试对象为用于高性能计算场景的服务器。本文中使用的高性能计算场景包括通用场景及各行业（制造行业、基因行业及气象行业）场景等。
2023-01-04 14:18
2013年2月，Altera公司与Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA产品的生产将独家采用Intel的14nm 3D Tri-Gate（三栅极）晶体管技术。这使得Altera
2020-03-12 10:30
