对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
英飞凌科技股份有限公司低压驱动应用工程师Ralf Walter 2012年，电子器件一如既往地沿着更高性能和更高功率密度的方向发展。取决于具体的应用，要么侧重于封装的微型化，要么侧重于提高通流能力
2018-12-06 09:46
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19
《高性能MySQL》第五章 创建高性能的索引
2020-06-09 11:36
有哪些新型可用于基带处理的高性能DSP？性能参数如何？
2018-06-24 05:20
标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率)，组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能
2018-09-12 15:14
的数字产品和解决方案，在提供高性能表现的产品和系统解决方案的同时，极大的减轻了客户库存的压力和新产品推出的周期，扩展了研发设计的灵活性。英飞凌照明驱动IC以其丰富的产品类型，广泛的拓扑组合，搭配业界领先功率晶体管CoolMOS技术，充分满足了LED驱动电源设计的半
2019-10-18 06:23
）。后者采用.XT互连技术，具有与同类产品相比 更加出色的热性能 ，并且采用了 开尔文源极概念。 这些MOSFET凭借其优势确保了极低的开关损耗，提高了系统效率。唯样商城现货速发，喜欢尽快下单吧
2022-08-09 15:17
过程中，确保在未来以比现有交通工具更少的排放实现更高水平的个人交通能力。电子器件对提高能效具有至关重要的作用。为了帮助节能和减少污染，英飞凌利用同类最优的技术，为混合动力汽车（HEV）提供各种高性能
2018-12-13 17:15
