飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infin
2010-04-26 08:50
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有
2024-05-16 09:54
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25
英飞凌科技股份有限公司低压驱动应用工程师Ralf Walter 2012年，电子器件一如既往地沿着更高性能和更高功率密度的方向发展。取决于具体的应用，要么侧重于封装的微型化，要么侧重于提高通流能力
2018-12-06 09:46
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21
英飞凌推出适用于高性能医疗电子设备的创新平台解决方案。英飞凌的MD8710医疗平台集成了多种标准功能。这些功能的智能部署使其
2010-10-09 09:40
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650
2010-03-30 10:37
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48
